TI发力GaN，产能增四倍

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德州仪器今日宣布已开始在日本会津的工厂生产氮化镓(GaN)功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位于德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多。

TI 的技术与制造资深副总裁Mohammad Yunus表示:「以超过十年的GaN芯片设计与制造专业知识，我们已成功验证8吋GaN技术，并在会津展开量产；这是现今扩充性最高且最具成本竞争力的GaN制造技术。这个里程碑使我们拥有更多的GaN芯片自有产能，并在2030 年前将内部制造的比率提升至95%以上，同时也让我们可从多个TI据点进行采购，确保整个高功率、节能半导体GaN产品组合的可靠供应。」

TI表示，现在TI已提供最广泛的整合式GaN功率半导体产品组合，从低电压到高电压都包含在内，借此实现最为节能、可靠且具高功率密度的电子产品。

TI 的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian表示:「利用GaN，TI就能更有效率地在小巧的空间中提供更高效的功率，这也是推动我们众多客户创新的主要市场需求。诸如伺服器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的设计师正面临必须要减少功耗并提升能源效率的挑战，他们对于TI高性能GaN芯片可靠供应的需求也与日俱增。TI的整合式GaN功率级产品组合让客户可实现更高的功率密度、提升易用性，并降低系统成本。」

此外，凭借TI的专利硅基氮化镓制程、经过超过8000 万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN芯片能确保高电压系统安全无虞。

TI强调，新产能使用现今市面上最先进的设备来制造GaN芯片，因此可提升产品性能与制程效率，同时还能提供成本优势。增加GaN制造规模的性能优势使其可将GaN芯片提升至较高的电压，从900伏特开始，随着时间推移增加至更高的电压，借此进一步推动机器人、再生能源和伺服器电源等应用的能源效率与尺寸创新。

此外，TI的扩大投资包含于今年稍早在12吋晶圆上成功进行GaN制造的试行作业。 TI持续扩大的GaN制程技术可以完全转换至12吋晶圆上，让其能随时根据客户需求进行调整，并在未来移转至透过12吋技术进行生产。

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