英特尔即将领先台积电？

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2021年10月，英特尔首席执行官帕特·基辛格表示，英特尔将在2025年之前从台积电和三星代工手中夺回工艺领先地位。英特尔希望在行业代工领域挑战台积电和三星代工。合同代工厂从无晶圆厂芯片设计师那里获取芯片设计并制造芯片。台积电是全球领先者，其次是三星代工厂。

目前，台积电和三星代工都在出货3nm芯片，明年下半年，两家公司都可能量产2nm芯片。据Motley Fool报道，今年晚些时候，英特尔将使用其 20A 工艺，该工艺将用于制造英特尔的 Arrow Lake PC 芯片。因此，到那时，英特尔将拥有工艺领先地位，并且只有在明年英特尔推出其 18A 工艺节点(与台积电和三星代工厂相比时相当于 1.8 纳米)时，这种领先地位才会持续下去。后两者将于明年下半年推出 2nm 节点。

英特尔的工艺节点将从今年的20A增加到2027年的14A

预计到 2027 年，当英特尔的 14A加入台积电和三星代工厂的 1.4 纳米产量时，所有人都将迎头赶上。最重要的是，随着工艺节点的缩小，这些芯片所使用的晶体管的尺寸会变得更小。这意味着一个组件内可以安装更多晶体管。芯片内的晶体管越多，通常芯片的功能就越强大和/或能效越高。

但从今年晚些时候的 20A 生产开始，英特尔将凭借美国芯片制造商称为 PowerVia的关键功能，在台积电和三星代工厂方面领先一些。台积电预计将在其 N2P 节点中使用这项技术，该节点将于 2026 年开始使用。三星代工预计将在明年推出的特定节点上使用背面供电，尽管三星代工尚未证实这一点。

那么PowerVia是什么？大多数为芯片供电的小电线都位于构成硅元件的所有层的顶部。随着这些芯片变得越来越强大和复杂，顶部连接电源的电线正在与连接组件的电线竞争。这导致电力浪费和效率低下。

PowerVia 将给芯片供电的电线移动到芯片的背面。因此，时钟速度可提高 6%，从而提高性能。再加上使用更先进的工艺节点带来的性能提升，其结果是使用更强大的芯片来运行更强大的设备。

英特尔率先接收其高数值孔径极紫外光刻机

英特尔首席执行官基辛格表示，“我把整个公司的赌注都押在了18A上。” 英特尔预计其18A节点的性能和效率将超过台积电的最佳水平。英特尔还与 Arm 签署了一项协议，允许 Arm 的芯片设计客户拥有使用英特尔 18A 工艺节点构建的低功耗 SoC。上个月，英特尔同意使用其 18A 工艺为微软打造定制芯片。四家未透露姓名的大公司已签约让英特尔使用 18A 工艺生产其芯片。

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